일반기술

싸이클 조업에 의한 고분자 표면상의 금속막 형성 방법

본 기술은 싸이클 조업에 의한 도전성 금속 복합박막의 제조방법에 관한 것으로서, 상온에서 고분자 기질 표면에 전자 사이크로트론 공명 플라즈마에 화학증착에 의해 금속 복합막을 형성하는 시스템과 마그네트론 스퍼터링 시스템을 결합하여, 고분자기질과 제조된 금속막간의 결합력이 매우 우수하고, 그간의 화학증착법에서 단점이 되어왔던 낮은 증착속도를 크게 개선한 고분자표면에 금속막제조를 위한 물리적 및 화학증착방법을 결합한 싸이클 운전 방법이다.본 기술의 구성은 전자 사이크로트론 공명 플라즈마를 이용하여 고밀도 플라즈마 이온을 형성하고, 플라즈마 이온이 형성된 하단에 금속 전구체를 공급함과 동시에 저주파 직류 양·음전압을 인가하여 금속이온을 형성하며, 형성된 과응축 금속이온이, 고분자 기질 표면에서 화학 결합으로 증착되는 상온화학증착법과 고순도 구리금속을 타겟으로 사용하여 물리적 활성화방법인 rf 전력 등을 이용하여 증착시키는 물리증착법을 결합하여 증착시간을 각각 서로 정량적으로 변수화한 싸이클시간과 스플릿을 최적화하여 고성능 도전성 금속 복합박막을 제조하는 방법이다. 본 기술의 주요용도로서는 차세대형 구리박(FCCL) 또는 플라스틱 태양전지, 액정 구동을 위한 필터 비디오 레코딩 테이프, 전자 소자재료, packaging, 전자기파차폐 등에 사용할 수 있다.