일반기술

침상형 구조를 갖는 질화알루미늄 단결정 나노막대의 제조방법

본 기술은 전계방출 표시 소자(FED:Field Emission Display)에 있어서 전자를 방출 에미터에 적용을 위한, 염화물 기상 에피택셜법(HVPE: Halide Vapor Phase Epitaxial, 이하 ‘HVPE’라 함)을 이용한 전자 방출용 단결정 AlN(Aluminium Nitride) 나노막대 형성방법을 기재 한다. Al 금속 분말을 HCl 기체를 이용하여 AlClx 기체를 형성한 후, NH3기체와 700℃의 온도범위에서 반응시켜 단결정 실리콘 기판위에 전자 방출 에미터로써 적합한 형상을 갖는 단결정 AlN 나노막대를 형성 시키는 것을 특징으로 한다. 본 기술에 따른 AlN 나노막대를 전계방출 표시 소자의 에미터에 적용할 경우 화학적 기계적으로 안정할 뿐만 아니라 낮은 전계방출 전압을 가진다. 본 기술은 전자 방출 표시소자(Field Emission Display, FED)용 전계방출용 에미터로 사용하기 위한 침상구조를 가지는 단결정 AlN 나노막대에 대한 제조 방법에 관한 것으로, 개량된 할라이드 기상증착(Halide Vapor-Phase Epitaxy, HVPE) 성장법을 이용하여 에미터에 적합한 침상구조를 가지고, 크기가 균일하고 수직배향된 단결정 염화알루미늄(Aluminum nitride, AlN) 나노 막대를 형성함으로서 우수한 전계 방출 특성을 갖도록 하는 제조 방법에 관한 것이다.