일반기술

갈륨 망간 나이트라이드 단결정 나노선의 제조 방법

본 기술은 1차원 single crytal nanowire를 성장시켜 이를 이용하여 접 천이형 III-V족 화합물 반도체 재료내 Mn과 같은 천이금속을 도핑하여 electron 과 spin을 이용하여 차세대 반도체 소자로 응용가능하다. 이는 spin transport를 위한 dilute magnetic semiconducting material의 선택에 있어 상온 Ferromagnetism 특성이 요구되며 이를 위한 Simulation 결과 5at% Mn이 도핑된 GaMnN가 유력한 재료로 인식됨. 박막 GaMnN에서 나타나는 결함(불순물, 전위, 2차상)으로 인하여 Ferromagnetism 현상 발견하였으나, Perfect single crystal GaMnN 재료가 요구된다본 Ferromagnetic 특성과 Mn 도핑으로 인한 밴드갭 변조가 가능한 제조공정.근래에 GaMnN nanowire가 성장이 되었으나, Mn 도핑농도를 조절할 수 있는 System은 아직 없음.