일반기술
화합물 반도체 소자 제조방법
이 기술은 화합물 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로 소오스 및 드레인 저항값을 감소시키지 않으면서도 브레이크다운 전압을 증가시킬 수 있게 한다.- 특징리세스 에칭시에 소오스 및 드레인 저항과 브레이크다운 전압을 조절할 수 있다.미세 선폭을 갖는 티형 게이트 제작이 용이하다.패시베이션층이 활성영역에 접촉되지 않으므로 패시베이션 전후 특성에 변화가 없다.헴트 제작시, MIM 공정 및 글래시베이션 공정을 쉽게 진행시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-08
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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