일반기술

질화물 반도체 기판의 제조방법

- 개요 본 기술은 질화물 반도체 기판의 제조방법에 관한 것임.- 특징 이종기판의 상부에 제 1 질화물 반도체층을 성장시키고, 그 제 1 질화물 반도체층의 상부에 직선형의 반복적인 제 1 마스크 패턴을 증착하는 제 1 단계와, 상기 제 1 단계 후, 제 2 질화물 반도체를 측면 성장시키되, 상기 제 1 마스크 패턴의 상부에서 제 2 질화물 반도체의 합체가 일어나기 전에, 제 2 질화물 반도체의 성장을 중지시키고, 상기 제 1 마스크 패턴을 습식 식각시키는 제 2 단계와, 상기 제 1 마스크 패턴이 식각된 후, 측면성장법으로 제 2 질화물 반도체를 계속 성장시켜, 합체가 이루어진 평탄한 표면을 가지는 제 2 질화물 반도체층을 성장시키는 제 3 단계로 이루어지되, 상기 합체가 이루어진 제 2 질화물 반도체층의 상부에 마스크 패턴 증착, 질화물 반도체 측면 성장, 합체가 일어나기 전에 성장 중지, 마스크 패턴 습식 식각, 측면성장법으로 질화물 반도체를 계속 성장시키는 공정을 반복적으로 수행함.- 효과 측면성장되는 질화물 박막층과 마스크물질과의 계면에서 발생하는 응력, 결함 및 기울어짐을 억제. 빈공간을 형성하여 부가적으로 응력을 감소시킴.