일반기술
나노 정보 저장 장치용 전도도 변화형 캔틸레버 및 그 제조 방법
기술의 개요 - 본 기술은 나노 정보 저장 장치용 전도도(CONDUCTIVITY) 변화형 캔틸레버 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.기술의 구성 - 본 기술은 지지부와 상기 지지부에서 연장되어 부상된 캔틸레버부, 상기 캔틸레버부의 선단에 형성되며 로우 도핑(LOW DOPING)된 탐침, 상기 탐침의 양측면의 캔틸레버부와 지지부에 하이 도핑(HIGH DOPING)되어 형성되고 탐침에 전기적으로 연결되는 제1과 제2신호라인으로 구성된다. 기술의 효과 - 본 기술은 나노 정보 저장 장치에 락인 앰프(LOCK-IN AMP.)와 같은 복잡한 구성을 형성하지 않아도 정보의 기록 및 재생을 원할히 수행할 수 있는 효과가 발생한다.
기술정보
- 기술분류
- 정보 > 기타 정보
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-09
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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