일반기술
반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법
- 개요 본 기술은 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것임.- 특징 p-GaAs기판의 상부에 활성층을 포함하는 적층구조의 레이저 다이오드의 디바이스 층과 에칭방지층이 순차적으로 형성되어 있고, 에칭방지층의 상부에 적어도 하나 이상의 리지가 형성되어 있고, 리지의 측면과 에칭방지층의 상부에 p-GaAs층이 형성되어 있고, p-GaAs층과 리지의 상부면에 n-메탈층이 증착되어 있고, p-GaAs기판의 하부에 p-메탈층이 증착되어 있도록 구성함.- 효과 제조 공정을 간소화. 표면 평탄화로 인해 전극 형성 시 스텝 커버리지 문제를 해결 가능. 유전체가 존재하질 않아서 열 방출이 용이 및 소자의 수명을 증가시킴.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-09
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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