일반기술
반도체 웨이퍼 식각방법
기술의 개요 - 본 기술은 반도체 웨이퍼 식각방법에 관한 것이다.기술의 구성 - 웨이퍼 식각 공정을 마친 후에 투명 전극을 형성하여 투명 전극과 패드 메탈 콘택과의 접착력을 향상시킬 수 있고, 리프트-오프 공정을 실시하지 않기 때문에 포토레지스트 대신 견고한 크롬을 재료로 하는 식각 마스크를 이용하므로써 마스크 변형에 의한 식각형상 변형을 방지할 수 있으며, 리프트-오프 공정을 하지 않는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 리프트-오프 공정에 따른 절연막의 두께 제한으로부터 자유로워지게 되어 단차 보정용 보조층 또는 반사율 보강용 보조층을 둘 수 있어 소자 특성을 향상시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-09
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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