일반기술
질화갈륨 반도체 레이저 다이오드의 기판 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 질화갈륨 반도체 레이저 다이오드를 제조하기 위한 사파이어 기판위에 형성되는 질화갈륨 기판의 크랙을 줄여 소자의 동작특성을 향상시키기 위한 것이다.기술의 구성 - 사파이어 기판의 후면에 소정결정 방향으로 복수개의 홈을 형성한 후, 사파이어 기판 전면에 질화갈륨층을 형성하고 이어 사파이어 기판을 완전 제거하여 질화갈륨 기판을 제조함을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술을 통해 얻어지는 질화갈륨 기판은 사파이어 기판을 제거할 때 발생되는 응력을 크게 경감시킬 수 있어 벌크질화 갈륨 기판의 미세크랙을 크게 줄이는 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-09
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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