일반기술
반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법
기술의 개요 - 본 기술은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.기술의 구성 - 통상의 반도체 레이저 다이오드의 P-캡층 상부에 제 1 유전막, 확산 반응막을 순차적으로 증착하여 패터닝하고, 확산 반응막부터 유전막까지 수직 방향으로 일부 영역을 식각하여 P-캡층의 일부를 노출시킨 다음, 노출된 P-캡층 및 확산 반응막의 상면에 제 2 유전막을 형성하고 열처리를 통해 패터닝한 제 1 유전막의 하면에 위치한 P-캡층부터 N-클래드층의 일부 또는 그 저면까지 수직 방향으로 윈도우 층을 형성하여, 벽개면 근처에서 광 흡수가 발생되지 않도록 함을 그 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 반도체 레이저 다이오드의 광출력을 향상시키고 그 수명을 연장시킬 수 있도록 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-09
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.