일반기술
강유전체를 갖는 커패시터의 하부전극
본 기술은 강유전체 커패시터의 하부전극에 관한 것으로, 접착력을 향상시키고 산화를 방지하며 기타 다른 전기적 특성(피로현상, 누설전류)을 향상시킨다.- 특징하부전극을 Ir/IrO2/Ir/Ti(또는 Cr, TiW, TiN 중 어느 하나)으로 형성하여 접착력을 향상시키고 산화를 방지하며 기타 다른 전기적 특성(피로현상, 누설전류)을 향상시킨다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-09
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.