일반기술

지에이엔(GAN) 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법

본 기술은 광디스크용 픽업(pick-up)소자로 사용할 수 있는 GaN 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 전체적인 공정을 간단하게 하고 생산 효율을 증가시키며, 소자의 신뢰성 및 광 효율을 향상시킨다.- 특징반도체 레이저 작동에 있어서 중요한 요소인 광 공동 거울이 반도체 레이저 박막 성장시에 자연스럽게 이루어져 광 공동 거울 형성시에 필요한 건식식각 공정과 이에 수반되는 포토리소그래피 공정 및 부수 공정들을 생략할 수 있어 전체적인 공정이 간단해지고 생산 효율을 증가시킨다.광 공동 거울 및 리지 형성을 위해 사용하는 건식식각 공정을 생략함으로써, 건식식각 공정 중에 거울 표면에 가해질 수 있는 물리적, 화학적 충격이 배제되어 소자의 신뢰성 및 광 효율을 향상시킬 수 있다.반도체 레이저 박막 성장시에 ELOG법을 도입하여 박막 구조내의 통과 전위 밀도를 거의 0에 가깝게 함으로써, 소자의 신뢰성을 향상시킨다.