일반기술
반도체 레이저 다이오드 제조방법
본 기술은 반도체 레이저 다이오드 제조방법에 관한것으로, 반도체 레이저 제조시 문제되는 산화를 방지하여 AlGaAs계 물질로도 DC-PBH구조의 반도체 레이저 다이오드 제조가 가능하도록 하였다.- 특징LPE의 특징인 멜트-백(Melt-back)방법을 이용하여 반응로내에서 메사구조를 형성시킴으로써 메사부가 공기에 노출되지 않고 제2차 LPE를 함으로써 종래 기술의 산화막형성의 문제점및 경계면 문제를 해결하여 보다 신뢰성있고 출력이 높은 레이저 다이오드를 제작한다.안정한 싱글(single)종,횡모드와 고출력발진이 가능하기 때문에 광통신용및 LBP(Laser Beam Printer)용으로 쓰일 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-09
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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