일반기술
고출력 레이저 다이오드 제조방법
본 기술은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로, 기판상에 메사를 형성할시 이중사진식각공정을 이용하여 미러영역과 일차 메사사이의 간격을 짧게 조정하여 전류값에 대한 광출력의 비, 즉 양자효율을 높일 수 있도록 했다.- 특징이중사진식각(Phtolithography) 공정을 사용하여 메사사이의 간격을 줄임으로써, 킹크레벨(Kink Level)를 없애 소오스전류값에 대한 광출력의 비를 증가시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-09
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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