일반기술

탄소나노튜브의 수평성장 방법

- 개요 본 기술은 열화학기상증착법을 사용한 탄소나노튜브의 수평성장 방법에 관한 것임.- 특징 알루미나 기판 위에 이산화규소 절연막을 형성하는 제 1단계, 절연막 위에 소정의 촉매층을 패터닝하는 제 2단계, 패터닝한 촉매 위에 몰리브덴, 니오듐, 파라듐 및 텅스텐으로 이루어진 그룹중 하나를 선택하여 이를 이용해 소오스 및 드레인 전극을 형성시키고, 소오스 및 드레인 전극 사이에 게이트 전극을 형성시키는 제 3단계, 단계들을 거친 결과 생성물을 700 내지 900℃의 온도를 유지하는 열화학기상증착 장치의 반응로에 넣은 후, 탄화수소 반응 가스를 포함하는 운반가스를 흘려주어 노출된 촉매 패턴 위치에서 탄소나노튜브를 성장시키는 제 4단계를 포함하는 열화학기상증착법에 의한 탄소나노튜브의 수평 성장 방법을 제공함.- 효과 수득된 탄소나노튜브를 FET(Field Effect Transistor), 터널링 트랜지스터(Tunneling Transistor) 소자, SET(Single Electron Transistor) 또는 콘도 공명(Kondo Resonance)을 이용한 콘도(Kondo)소자로 유용하게 활용 가능.