일반기술
초전도체를 이용한 전계효과 트랜지스터 제조 방법
- 개요 본 기술은 초전도체에 관한 것으로 특히 초전도체를 이용한 전계효과 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것임.- 특징 초전도체를 이용한 전계효과 트랜지스터 제조는 기판 위에 MgB 2 인 초전도 박막과 소스, 드레인 전극을 순차적으로 형성하는 단계와, 전극을 포함한 기판 전면에 산화 알루미늄(Al 2 O 3 )인 절연층을 형성하는 단계와, 절연층 위에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 게이트 전극을 형성한 다층 박막을 후 열처리하는 단계를 포함하여 이루어짐.- 효과 고온 초전도용 쿨링(cooling) 장치를 이용 가능. 더 얇은 산화막을 이용할 수 있게 되어 게이트 전압을 낮춤.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.