일반기술
반도체 레이저 및 그 제조방법
본 기술은 낮은 발진개시 전류값과 안정된 단일 모드에서 동작하는 반도체 레이저 제조방법에 관한 것이다.- 특징에칭방법 대신에 선택적으로 성장 방법으로 메사구조의 더블 헤테로 구조체(Hetero Structure)를 만들기 때문에 기판 전체에 대한 균일한 두께로 더블헤케로 구조체를 얻을 수 있어서 양산시 수율향상을 가져온다.전류가 주입되게 될 메사부분의 바깥쪽에서 SiO2나 Si3N4의 절연막을 두고 선택적으로 성장을 하기 때문에 확산 등에 의한 결함이 줄어든다.헤테로 구조체를 완전히 매장하기 때문에 낮은 문턱전류 값을 가지고 안정된 단일 모드에서 동작한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.