일반기술

탄소 나노튜브를 이용한 비휘발성 메모리 소자

- 개요 본 기술은 전기장에 의한 기계적 변형을 저장되는 정보로 대응시켜 데이터 저장이 이루어질 수 있도록, 복수의 탄소 나노튜브를 일정 간격으로 형성시킨 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브를 이용한 비휘발성 메모리 소자에 관한 것임.- 특징 탄소 나노튜브를 이용한 비휘발성 메모리 소자는 전기장에 의한 기계적 변형을 저장되는 정보로 대응시켜 데이터 저장이 이루어질 수 있도록, 복수의 탄소 나노튜브를 일정 간격으로 형성시킨다. 여기서, 탄소 나노튜브는 가로축과 세로축에 각각 n x m 개의 라인이 교차되어 있는 사이사이에 단위셀이 형성되었으며 도선에 의하여 각각 상기 라인상에 연결되어 단위셀 당 1비트를 저장할 수 있다. 여기서, n x m 개의 라인상에 n’ x m"개의 라인을 절연을 유지하여 형성시키며, 도선에 의하여 탄소 나노튜브를 n’ x m"개의 라인상에 연결시킴에 의하여 단위셀 당 4비트를 저장함.- 효과 탄소 나노튜브의 수직 합성에 의하여 보다 쉽게 팁에서의 터널링 현상을 구현할 수 있으며 여러 개의 탄소 나노튜브 패턴을 이용하여 멀티 비트의 구현 가능.