일반기술
고온 초전도 조셉슨접합소자 및 그의 제조방법
본 기술은 일렉트로미그레이션과 산소확산저지막을 동시에 이용한다.- 특징초전도체의 일렉트로미그레이션을 이용하여 접합의 파라미터를 인슈트(in-situ)로 제어할 수 있고, 저온에서 원하는 값으로 맞출 수도 있으며 어느정도 가역적으로도 조절할 수 있으며 접합의 개수가 2개인 SQUID 소자나 혹은 수십개의 RSFQ(rapid single flux quantum)소자 등에 대하여 매우 편리하게 사용할 수 있다.고가의 바이크리스탈 기판등이 필요없이 에피텍셜 성장이 가능한 소재면 어느 것이나 이용할 수 있어 가격이 저렴하며 또한 기판상의 원하는 위치에 원하는 숫자의 접합을 산소확산저지막과 일렉트로미그레이션을 이용하여 만들 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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