일반기술
반도체 레이저 다이오드의 제조방법
- 개요 본 기술은 반도체 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것임.- 특징 p-전극과 n-전극이 형성될 영역을 제외하고 포토레지스트층을 패터닝하는 단계와, p-전극과 n-전극이 형성될 영역에 금속을 증착하여 p-전극과 n-전극을 형성하는 단계, 포토레지스트층을 제거하여, 각각 분리된 p-전극과 n-전극들을 형성하는 단계와, 분리된 p-전극과 n-전극 사이로 스크라이빙 공정을 수행하여, 각각의 반도체 레이저 다이오드를 분리하는 단계를 포함하도록 반도체 레이저 다이오드를 제조함.- 효과 소자의 전기적인 특성 향상과 수율 증가 및 신뢰성을 향상 가능.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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