일반기술

질화물 반도체 기판 제조방법

- 개요 본 기술은 질화물 반도체 기판 제조 방법을 제공하기 위한 것임.- 특징 제1 기판 상에 제1 질화물 박막을 형성하고, 그 상부에 스트라이프 형태의 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계, 제1 마스크 패턴을 이용하여 제1 기판의 일부까지 제1 질화물 박막을 오버에칭하고 제1 마스크 패턴을 제거하고, 식각 측면으로부터 제2 질화물 박막을 팬디오에피택시를 이용하여 측면성장시키는 단계, 제1 기판 상부에 형성된 제2 질화물 박막 상에 돌출부를 갖는 스트라이프 형태의 제2 마스크 패턴을 형성하여 돌출부의 면적만큼 제2 질화물 박막과 제1 기판이 접합되도록 제1 및 제2 질화물 박막을 식각한 후 제2 마스크 패턴을 제거하는 단계로 이루어지며, 제1 기판과 그 상부에 형성되는 질화물 박막의 접합면적을 줄여 제1 기판으로부터 결함이 적은 질화물만으로 이루어진 기판을 얻을 수 있고 격자 상수 부정합과 열팽창 계수 차이가 없음.- 효과 상부에 소자 구조를 성장하는 경우, 결함이 상부로 유기되지 않으므로 소자 성능을 극대화 가능.