일반기술
반도체레이저 다이오드
- 개요 본 기술은 반도체레이저 다이오드를 제공하기 위한 것임.- 특징 활성층 상하부에 리지형태의 돌출부를 갖는 제1 질화물반도체층, 제2 질화물반도체층과 전극, 그리고 리지를 둘러싸도록 두껍게 형성된 보호막을 구비하여 활성층에서 생성된 광학 웨이브함수가 전극에 겹치는 것을 방지함.- 효과 금속에 흡수되는 빛을 감소시킴으로써 소자 특성을 향상시킴.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.