일반기술
질화갈륨 반도체 레이저의 제조방법
본 기술은 청색파장을 내는 질화갈륨 반도체 레이저의 제조방법에 관한 것으로, 소자 제조시의 특히 선택적 성장에 의해 소자간을 격리하도록 한 질화갈륨 반도체 레이저의 제조방법에 관한 것이다.- 특징소자가 형성되는 처음부터 산화막 패턴에 의해 소자가 분리되기 때문에 별도의 소자 분리공정인 건식식각 공정이 필요없게 되고 이와같은 건식식각 공정이 줄어들게 되므로써 건식식각 공정중에 프라즈마 등에 의해 반도체 결정이 겪는 손상을 줄일 수 있어 소자특성을 향상시킬 수 있고 각 소자의 제조시에 소자가 분리되어 있기 때문에 기판과 에피택셜층과의 격자부정합에 의한 스트레인을 분산시켜 줄일 수 있어서 상당한 두께의 에피택셜층도 크랙없이 성장시킬 수 있으며, 이로인해 크랙이 없는 두꺼운 GaN의 에피택셜층에 레이저 각 구성부를 성장시킬 수 있어 양질의 반도체 레이저를 제조할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-14
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.