일반기술
초격자형 엘이디소자
본 기술은 초격자형(super lattice type)엘이디(LED)소자에 관한 것으로, 특히 실리콘 카바이드(a-SiC)발광형소자의 단점인 저휘도(low brightness)를 개선토록 하는 초격자형 엘이디소자에 관한 것이다.- 특징발광층을 초격자(super lattice)화 하여 단일층과 단일층 사이에 형성되는 계단장벽(notch-barrier)에 의해 발광하는 메카니즘(mechanism)이 중첩되므로 전체 디바이스의 발광효율및 제어성이 향상된다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-16
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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