일반기술
박막트랜지스터 제조방법
본 기술은 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 특히 다결정실리콘을 이용하여 활성층을 형성하기 위한 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.- 특징크롬 실리사이드로 게이트 전극을 형성함으로서 이를 제조공정을 단순화할 수 있으며, 이에따라 제조가를 감소시킬 수 있을뿐만 아니라 상기 게이트 전극으로 그 하부를 보호함으로써 채널영역의 열화를 방지한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-16
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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