일반기술

GAN계 화합물반도체 및 그의 결정성장방법

본 기술은 청색 레이저 다이오드나 청색발광 다이오드의 활성층으로 이용되는 GaN계 화합물 반도체 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히 사파이어 기판위에 완충층으로서 초기에 In x Al1-X N의 결정을 성장시키고 그 위에 GaN계 화합물 반도체인 GaN 또는 In x Ga1-X N 결정을 성장시켜서 결정의 표면 평탄성, 스트레스 감소 및 결정결함을 개선한 GaN계 화합물 반도체 및 그의 결정성장 방법에 관한 것이다.- 특징기판과 GaN 혹은 Inx Ga1-X N의 격자 부정합을 최소화 할 수 있게 되고 이와 같은 In x Al1-X N을 중간 완충층으로 활용하게 되므로 격자 부정합에 따른 결정성 결함의 생성을 크게 줄일 수 있다.AlN에 In을 첨가하여 In x Al1-X N 합금을 만듦으로 해서, AlN보다 연성이 나은 특성을 갖게 되므로 격자부정합에 따른 스트레인 에너지를 흡수할 수 있는 능력이 개선되므로 완충층위에 성장시키는 GaN 혹은 In x Ga1-X N층의 결정성 결함의 밀도를 더욱 크게 줄일 수 있다.