일반기술

탄소나노튜브의 수직합성 방법

- 개요 본 기술은 열화학기상증착법을 사용하여 탄소나노튜브를 전 길이에 걸쳐 기판에 수직 합성하는 방법에 관한 것임.- 특징 규소 기판을 산소 기류하에 1000 내지 1200℃의 온도로 열처리하여 형성시킨 이산화규소막 또는 알루미나 기판위에 촉매금속을 증착시키는 제 1단계, 촉매금속을 증착시킨 기판을 반응로의 온도를 700 내지 900℃의 온도로 유지하면서 열처리를 통한 식각을 이용하여 나노미터 크기의 미세한 촉매금속 입자를 형성시키는 제 2단계, 나노미터 크기의 미세한 촉매금속 입자가 형성된 기판을 석영보트에 장착하여 600 내지 1000℃의 온도를 유지하는 열화학기상증착 장치의 반응로에 넣은 후, 암모니아 가스를 30분 내지 1시간 동안 흘려주어 암모니아 분위기를 만드는 제 3단계, 암모니아 분위기에서 2 내지 30 부피 ％의 탄화수소 반응 가스가 포함된 암모니아 가스를 1분 내지 10분간 흘려주어 나노미터 크기의 미세한 촉매금속 입자 위에 탄소나노튜브를 합성하는 제 4단계를 포함하는 것을 특징으로 하여, 수 ㎛ 길이의 수직배향으로 성장한 탄소나노튜브 및 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브 전계방출소자를 제공함.- 효과 수 ㎛ 길이의 수직배향으로 성장한 탄소나노튜브 및 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브 전계방출소자를 제공함.