일반기술
반도체 레이저 다이오드
본 기술은 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로, 특히 넓은 전극 면적 및 넓은 레이저 도파로 폭에서도 좁은 폭으로 레이저 출력이 가능한 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다.- 특징레이저의 전 반사 거울면을 종래와 같이 다층의 유전체 박막을 적층하지 않고도 쉬운 방법으로 만들 수 있다.비교적 넓은 전극 폭 및 도파로 폭에서도 좁은 영역의 레이저 추출 거울면을 쉽게 형성할 수 있어 적은 저항과 높은 반사율을 갖는 레이저 구조가 가능하고, 레이저의 동작 전류를 크게 개선 시킬 수 있으며, 소자 저항을 낮출 수 있다.레이저의 거울면 형성이 레이저의 결정을 벽개하지 않고도 형성 가능하고 레이저 거울면에 보호막 증착이 웨이퍼 상태로 가능하기 때문에 대량 생산 공정을 혁신적으로 개선시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-16
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.