일반기술
브릿지형 스페이서를 구비한 전계방출 소자
기술의 개요 - 본 기술은 브릿지형 스페이서를 구비한 전계방출 소자에 관한 것으로, 특히 스페이서 구조를 변경하여 스페이서가 장착되는 영역의 하판 전극들이 스페이서의 브릿지 형상 하부에 위치하도록 하는 것으로 스페이서에 가해지는 압력이 하판 전극들에 전달되지 않도록 한 브릿지형 스페이서를 구비한 전계방출 소자에 관한 것이다. 기술의 특징 - 상하부 전극 및 전계방출 구조물이 형성된 캐소드 하판, 캐소드 하판상에 하부 전극과 평행하게 이격하여 장착되며 교차되는 하판 전극들의 위치에 해당하는 소정 영역이 제거된 스페이서를 포함하는 전계방출 소자를 제공함으로써 스페이서에 의한 압력이 하판 전극들에 영향을 주지 않도록 하여 하판 전극들 간의 쇼트나 오픈을 방지하고 소자의 신뢰성을 높이는 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-16
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.