일반기술
탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 평면형 탄소 나노튜브 전계방출소자 구조에서 게이트 전극의 높이를 캐소드 전극보다 높게 형성하는 것으로 애노드 전계에 의해 캐소드 전극이 받는 영향을 줄여 애노드에 보다 높은 전압을 인가할 수 있도록 한 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 캐소드 전극과 전자 방출여부를 제어하는 게이트 전극이 동일 평면상에 형성되는 평면형 탄소 나노튜브 전계방출소자의 게이트 전극 높이를 캐소드 전극보다 수십배 이상 높게 형성하도록 하는 것이 특징이다.기술의 효과 - 본 기술로 탄소 나노튜브에 대한 애노드 전계를 차폐할 수 있어 탄소 나노튜브의 이상발광을 방지하고 보다 높은 애노드 전압의 사용을 가능하게 하여 소자의 휘도를 크게 높이는 효과가 발생한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-16
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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