일반기술
백색 발광 다이오드
- 개요 본 기술은 백색 발광 다이오드에 관한 것임.- 특징 기판의 일면에 N타입 제 1 질화갈륨층, 청색광을 방출하는 제 1 양자 우물(QUANTUM WELL) 적층 구조와 P 타입 제 1 질화갈륨층이 순차적으로 적층되어 있으며, 수직선상으로 P 타입 제 1 질화갈륨층에서 N 타입 제 1 질화갈륨층의 일 부분까지 메사(MESA) 식각되어 제거된 N 타입 제 1 질화갈륨층의 상부에 N-전극을, P 타입 제 1 질화갈륨층의 상부에 각각 P-전극들이 형성되어 있는 청색 발광 다이오드와, 기판의 타면에 N타입 제 2 질화갈륨층, 노란색 광을 방출하는 제 2 양자 우물 적층 구조와 P 타입 제 2 질화갈륨층이 순차적으로 적층되어 있으며, 수직선상으로 P 타입 제 2 질화갈륨층에서 N 타입 제 2 질화갈륨층의 일 부분까지 메사 식각되어 제거된 N 타입 제 2 질화갈륨층의 하부에 N-전극을, P 타입 제 2 질화갈륨층의 하부에 N-전극이 각각 형성되어 있는 노란색 발광 다이오드로 구성함.- 효과 광 출력을 증가시키고, 제조 경비를 낮출 수 있으며, 조립을 간단히 할 수 있음.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-17
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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