일반기술

고품질 질화물 반도체 박막 성장 방법

기술의 개요 - 본 기술은 고품질 질화물 반도체 박막 성장 방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 기판 상부에 마스크 물질막을 형성하고 마스크 물질막을 식각하여 일부의 기판 상부면을 노출시키는 마스크 물질막 패턴을 형성하는 제 1 단계, 마스크 물질막 패턴에 의해 노출된 기판에서 질화물 반도체 박막층을 성장시키고 마스크 물질막 패턴 상부에서 합체가 일어나기 전에 성장을 멈춰 마스크 물질막 패턴을 성장된 질화물 반도체 박막층으로부터 노출시키는 제 2 단계와 노출된 마스크 물질막 패턴을 식각하여 제거한 후, 질화물 반도체 박막을 계속 측면 성장시켜 합체를 이루도록 하여 마스크 물질막 패턴이 존재하던 영역에 형성된 보이드(VOID)를 가지며, 상부면이 평탄한 질화물 반도체 박막층을 형성하는 제 3 단계로 구성된다.기술의 효과 - 본 기술은 기판 상부에 유전체 또는 금속물질로 이루어진 마스크 물질막 패턴을 형성하고 질화물 반도체 박막을 성장하다가 합체가 이루어지기 전에 마스크 물질막 패턴을 제거하고 다시 측면성장을 함으로써, 평탄하고 결함이 적고 보이드를 갖는 질화물 반도체 박막을 성장시킬 수 있는 효과가 발생한다.