일반기술

다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

- 개요 본 기술은 소오스 및 드레인 영역을 채널보다 아래에 위치시켜 측면 전계가 강하게 걸리는 영역과 실제로 전류가 흐르는 영역을 분리시켜 고온 캐리어의 발생을 억제하는 데에 적당한 다결정실리콘 박막트랜지스터 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것임.- 특징 절연성 기판에 다결정실리콘을 섬모양으로 형성하는 공정과, 게이트 절연막을 형성하고 게이트 물질을 증착 및 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 공정과, 다결정실리콘 내에 소스 및 드레인의 불순물 영역을 형성하는 공정과, 다결정실리콘 내 소스 및 드레인의 불순물 영역 위에 이온주입불순물층을 형성하는 공정과, 절연성 기판의 전면에 층간절연막을 형성한 다음, 이온주입불순물층 상부의 층간절연막과 게이트 절연막의 일부분을 제거하여 메탈 컨택홀을 형성하는 공정과, 메탈을 증착 및 패터닝하는 공정을 포함하여 이루어짐.- 효과 드레인 근처의 강전계 영역과 전자들이 움직이는 영역을 분리함으로써, 전자들이 고전계 영역을 지나감으로써 발생하는 고온 캐리어의 발생을 억제할 수 있게 되어 소자의 신뢰성을 높일 수 있음.