일반기술

고출력 반도체 레이저 다이오드 어레이 및 그의 제조방법

기술의 개요 - 본 기술은 고출력 반도체 레이저 다이오드 어레이 및 그의 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 화합물 반도체 기판의 상부에 N-클래드층, N-웨이브 가이드층, 활성층, P-웨이브 가이드층, 제 1 P-클래드층, 식각방지층(ETCHING STOP LAYER, ESL), 제 2 P-클래드층, 버퍼층, 캡층을 순차적으로 성장시키는 제 1 단계와 식각방지층의 상부에 제 2 P-클래드층, 버퍼층과 캡층이 적층된 리지가 상호 이격되어 다수개로 형성된 것으로 정의되는 리지 그룹들을 식각방지층의 상부에 각각 이격시켜 복수개로 형성하는 제 2 단계, 각각의 리지들 상부의 일부를 노출시키고 식각방지층의 상부와 각각의 리지들을 감싸며 유전체막을 형성하는 제 3 단계와 유전체막과 노출된 다수 리지들의 상부에 P-금속층을 형성하고, 화합물 반도체 기판의 하부에 N-금속층을 형성하는 제 4 단계를 수행하여 소자를 제조한다. 기술의 효과 - 본 기술은 다수의 리지들로 정의되는 리지 그룹을 복수개로 형성함으로써 반도체 레이저 다이오드가 발진시 열이 분산되어 온도 증가를 작게 할 수 있고, 전류가 좁은 리지내에서 비교적 균일하게 주입됨으로 광분포도를 안정화시킬 수 있는 효과를 발생시킨다.