일반기술
전계 방출 소자의 제조 방법
기술의 개요 - 본 기술은 전계 방출 에미터로 탄소 나노 튜브를 사용하는 카운터 전극 언더게이트 구조의 전계 방출 소자를 제조함에 있어서 복잡한 공정의 관통홀을 형성하지 않고, 단순화된 제조공정을 이용하여 공정 시간을 줄이고 수율을 높일 수 있도록 한 전계 방출 소자의 제조 방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 유리기판 상에 도전층을 형성하고 패턴을 통해 게이트 라인을 형성하는 단계, 구조물 상부에 패턴을 통한 스크린 인쇄에 의해 게이트 라인의 일부가 노출되도록 절연층을 형성하는 단계, 절연층 상부의 동일 평면상에 캐소드 전극 및 노출된 게이트 라인과 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계, 형성된 캐소드 전극 상부에 탄소 나노 튜브를 형성하는 단계로 구성되어 있다.기술의 효과 - 본 기술은 공정수를 줄여 제작공정을 단순화시킬 수 있어 제작이 용이하고, 공정 시간을 줄여서 수율을 높일 수 있는 효과를 도출한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-18
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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