일반기술

질화갈륨 전자소자의 제조방법

본 기술은 질화갈륨(GaN , Gallium Nitride)을 이용한 전자소자에 관한 것으로, 특히 MESFET(metal semiconductor FET)나 HEMT(high electron mobility transitor), 또는 HBT(heterobipolar transistor) 등에 사용되는 질화갈륨을 제조하는 방법에 관한 것이다.- 특징종래의 건식식각을 이용하는 제조방법에 비하여 포토레지스트를 사용하여 광전화학 에칭방법을 사용할 수 있다.포토레지스트를 이용한 리프트 오프(loft-off) 공정을 거쳐 게이트전극을 형성할 수 있으므로, 제조방법에 단순해진다.종래의 건식식각으로 인하여 발생되는 플라즈마 충격에 의한 활성화층의 손상이 없어 소자의 쇼트키 특성이 저하되지 않는다.언도프드 질화갈륨으로 이루어진 에치스토퍼 표면은 식각 방지 효능이 있어 매끄러운 상태로 유지되므로, 게이트전극의 접합상태가 안정적으로 이루어진다.활성화층이 실리콘으로 도핑된 질화갈륨으로 이루어지므로, 소스전극과 드레인전극의 저항이 낮아진다.소자 위에 질화실리콘(Si 3 N4 ) 등의 박막으로 보호막을 형성하면, 활성화층과 보호막 사이가 에치스토퍼킁으로 분리되므로, 외부의 압박 또는, 상호간에 발생하는 화학적 반응이 방지되어 소자의 성능을 향상시키고 수명이 연장된다.