일반기술
반도체 레이저 다이오드
기술의 개요 - 본 기술은 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 N-화합물 반도체 기판의 상부에 N-클래드층, 활성층과 제 1 P-클래드층이 순차적으로 형성된 적층구조와, 제 1 P-클래드층의 상부 중앙에 형성되고 리지(RIGDE) 형상인 제 2 P-클래드층, 리지 형상의 제 2 P-클래드층의 상면을 제외한 양측면과 제 1 P-클래드층의 상면에 형성된 P-조절 리지층, P-조절 리지(ADJUSTABLE RIDGE)층의 상부에 형성된 N-전류방지층, N-전류방지층, P-조절 리지층과 리지 형상의 제 2 P-클래드층의 전면에 형성된 P-캡층 및 P-캡층의 상부와 화합물 반도체 기판의 하부 각각에 형성된 금속층으로 구성된다.기술의 효과 - 본 기술은 소자의 수평 방사각 특성을 저해하지 않으면서 동시에 소자의 동작 전압 특성을 개선하여 소자의 신뢰성을 개선시킬 수 있는 효과를 도출한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-21
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.