일반기술
전계방출소자의 이미터 구조 및 그 제조방법
본 기술은 전계방출소자의 이미터 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 MIM 이미터(metal-insulator-metal emitter)의 상부전극을 간단하게 제조하면서도 특성을 향상시키기에 적당하도록 한 전계방출소자의 이미터 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.- 특징TiN막의 일함수가 낮아 전자 방출효율을 높이고, 구동전압을 다소 낮출 수 있어 소비전력을 저감시킬 수 있으며, 화학적인 안정성으로 표면오염에 민감하지 않고, 전기전도도가 우수한 편이며, 하부 터널링 절연막과의 상호 반응도 적어 별도의 배리어층이 요구되지 않기 때문에 공정이 단순해져 제조비용 및 수율에 있어서 유리하다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-21
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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