일반기술
반도체 기판 위에 ＧａＮ을 형성하는 방법
- 개요 본 기술은 SI 또는 GAAS 기판 위에 GAN을 형성하는 방법에 관한 것임.- 특징 SI 또는 GAAS 기판과, GAN가 성장된 사파이어 기판을 준비한 다음, SI 또는 GAAS 기판 위에 제 1 반응층을, 사파이어 기판의 GAN 위에 제 2 반응층을 각각 성장시킨다. 이어, SI 또는 GAAS 기판의 제 1 반응층과 사파이어 기판의 제 2 반응층이 마주보도록 SI 또는 GAAS 기판의 제 1 반응층 위에 제 2 반응층 및 GAN가 성장된 사파이어 기판을 올린 후, 압력을 가하면서 열처리하여 제 1 반응층과 제 2 반응층을 접합시키고, GAN로부터 사파이어 기판을 제거함.- 효과 열적이나 전기적으로 우수한 SI 또는 GAAS 기판 위에 GAN를 용이하게 형성시킬 수 있을 뿐만 아니라, GAN에서도 벽개 형성이 용이함.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-21
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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