일반기술

반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법

본 기술은 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로. 특히 광통신용 광원으로 쓰이는 레이저 다이오드의 특성인 낮은 문턱 전류, 안정화된 스몰 역-모드 및 작은 비점수차를 실현할수 있는 BH(buried heterostructure) 구조를 갖는 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.- 특징종래 PBH나 DCPBH 구조의 LD에서 문제가 되는 누설전류나 성장 조절의 어려움 등을 해결할 수 있게 되며, 동시에 낮은 문턱 전류, 고광전 효율 및 적은 비점수차 등을 실현할수 있다.PBH나 DCPBH 구조를 갖는 레이저 다이오드 보다 전류제한이 잘 되어 낮은문턱 전류 및 고광전 효율을 실현할수 있고, 사진식각, 습식식각 및 액상 에피텍시 공정 진행시 공정조건 조절 상의 어려움을 해결할수 있으며, 특히 액상 에피텍시 공정 상에서 야기되는 성장조건 조절의 까다로움을 해결할 수 있게 되어 보다 용이한 공정으로 재현성있는 레이저 다이오드를 만들수 있다.