일반기술

중적외선 quantum cascade laser 기술

<기술개요및특징>ET, BT, IT용 등으로 사용되는 중/원적외선의 장파장 대역과 높은 출력을 낼 수 있는 소형의 반도체 레이저 다이오드 광원중원적외선 레이저 다이오드 및 센서 과제는 Electro 0580 산자부 및 정보통신부 부처 공동사업의 원천기술개발 과제로 2006년 2월 1일부터 시작되었다. IT, ET, BT용으로 사용될 수 있는 광파장 8~10 마이크론의 중적외선 대역 레이저 광원 개발을 목적으로 3 차년도에 peak power 200~300 mW 급의 파장 10 마이크론 및 11 마이크론 FP(Fabry-Perot) Quantum cascade laser (QCL)를 개발하였다. 이러한 QCL기술 개발의 결과를 기술이전을 통한 상용화의 시도를 통해 산업체 매출을 증대하고 중적외선(Mid-IR) 양자 캐스케이드 레이저(QCL)의 ET, BT, 의료의 응용 분야에서의 신시장을 확대하는 데 목적이 있다.<활용방안 및 기대성과>-가스센서 등 ET 센서용 광원 - BT 센서 - 의료용 레이저 광원 <기술이전범위>① QCL 칩 설계/제작 공정 기술 -QCL 칩 에피 설계도 -QCL 칩 제작용 마스크 설계도 -QCL 칩 제작을 위한 공정 흐름도 ② QCL 칩 sub모듈 패키징 기술 ③ QCL 칩