일반기술

FPGA용 상변화 메모리 소자 기술

<기술개요및특징>Mobile Embedded Memory Chip 개발 및 FPGA를 구현하여 상용화를 목표로 하는 설계업체는 메모리 소자 설계 기술을 보유하고 있으나, 상용화를 위해서는 상변화 메모리 소자 및 공정기술이 반드시 필요하다. ETRI 기능성전자소자팀은, 정보통신부의 나노급 상변화 정보저장 기술 개발 과제 및 원내 모험과제 비휘발성 프로그래머블 나노 스위치 핵심 원천 기술 개발 의 수행을 통해 축적된 상변화 메모리 소자 및 공정기술을 보유하게 되었기 때문에, 해당 설계업체가 요구로 하는 상변화 재료 평가, 재료 설계 및 성막 기술, 셀 제작 공정기술을 활용하여 FPGA용 테스트 비클 시제품을 제작하고 관련 평가기술을 제공하고자 한다.<활용방안 및 기대성과>FPGA용 Embedded 메모리 및 스위치 소자에 PRAM을 적용하는 것은 아직 세계적으로도 예가 없다. 특히 CMOS에 Embedded되는 기존의 Memory로는 Flash 및 SRAM등이 대표적인 셀이다. Flash의 경우 Low Speed 문제, SRAM의 경우 휘발성 문제 때문에, 이들 셀들은 제한적인 용도로 Embedded되어 왔다. 따라서 SRAM의 High Speed 및 Flash의 비휘발성이라는 장점만을 융합한 통합 메모리로 PRAM이 최근 각광받고 있으며, ETRI 기능성전자소자팀은 최근 축적된 상변화 메모리 소자 및 공정 기술을 보유하게 되었다. 기능성전자소자팀에서 보유중인 상변화 메모리 소자 및 공정기술을 설계업체에 이전함으로써, 해당업체에 의해 FPGA 시스템 LSI적용의 좋은 예를 세계 처음으로 구현하는 것으로 CMOS Embedded PRAM Chip의 조기 개발 및 양산에 크게 기여하게 될 것이다. 그렇게 된다면 휴대폰 및 디지털카메라로 대표되는 Mobile 시장 및 Smart Card등의 Security 시장에 대한 파급효과는 가히 폭발적이라 판단된다.