일반기술

질화물 반도체 기판 및 그의 제조 방법

- 개요 본 기술은 질화물 반도체 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것임.- 특징 이종기판의 상부에 직선형으로 패터닝되어 형성된 적어도 하나 이상의 제 1 질화물 반도체층과, 제 1 질화물 반도체층의 측면 및 상부면에 형성된 제 2 질화물 반도체층으로 구성하며, 제 1 질화물 반도체층과 제 2 질화물 반도체층의 계면에는 빈 공간이 형성되도록 측면 성장법으로 합체(COALESCENCE)가 일어나기 전에 성장을 중단하고, 마스크를 제거한 다음, 후속 측면성장을 통해 성장이 완료된 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체 박막층을 제조함.- 효과 측면성장법을 이용하여 결함밀도가 낮은 질화물 반도체 박막층을 형성할 때, 결정학적인 기울어짐, 결함의 생성 및 내부 응력 증가 등의 문제점을 해결하는 데 있으며, 마스크 물질과의 성장되는 질화물 반도체와의 반응을 억제할 수 있어, LED, LD 등의 광소자 및 HEMT 등의 전자소자의 기판으로 적용할 수 있음.