일반기술

질화갈륨 기판의 제조방법

- 개요 본 기술은 질화갈륨 기판의 제조방법에 관한 것임.- 특징 이종기판의 상부에 제 1 질화갈륨 박막을 성장시키고, 그 제 1 질화갈륨 박막의 상부에 직선형의 반복적인 마스크 패턴을 증착하는 제 1 단계와, 마스크 패턴으로 마스킹하여, 제 1 질화갈륨 박막과 이종기판의 일부를 식각하는 제 2 단계와, 식각된 이종기판에서 제 2 질화갈륨을 측면 성장시키고, 측면 성장된 제 2 질화갈륨이 측면성장으로 합체(COALESCENCE)가 이루어지기 전에 성장을 중지시키는 제 3 단계와, 제 3 단계의 측면 성장 속도보다 높은 성장속도로 제 2 질화갈륨을 성장시켜 합체가 이루어진 평탄한 표면을 갖는 제 2 질화갈륨 박막을 형성시키는 제 4 단계로 구성함.- 효과 사파이어 기판과 성장된 질화갈륨층의 계면에 빈공간을 형성하여 기판과의 게면에서 발생되는 응력을 감소시킬 수 있고, 결함밀도를 낮출 수 있으며, 기판의 휘어짐을 방지할 수 있음.