일반기술

금속 나노입자를 갖는 비휘발성 메모리 단위 소자의 제조 방법

본 기술은 금속 나노입자를 갖는 비휘발성 메모리 단위 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 반도체 기판에 소스와 드레인을 형성하는 제1과정과, 스퍼터링 방법으로 기판 위에 터널링 산화막을 증착하는 제2과정과, 터널링 산화막 위에 금속 박막을 증착하는 제3과정과, 금속 박막위에 절연막을 성장시키는 제4과정과, 미리 설정된 나노입자 형성 조건을 가하여, 금속 나노입자를 형성하는 제5과정과, 컨트롤 게이트로 이용할 금속 박막을 기상증착법으로 증착하는 제6과정과, 컨트롤 게이트로 이용할 금속 박막을 게이트 형태로 형성하는 제7과정을 포함하여, 금속 박막위에 실리콘 산화막을 스퍼터링 방법을 이용하여 증착하면, 금속이 서로 뭉치면서 나노입자의 형태로 형성되며, 최종적으로 실리콘 산화막 내부에 금속 나노입자가 형성된다. 이에 따라, 실리콘 기판을 이용할 경우 금속의 페르미 준위에 따라 인가된 전압이 없는 상태일 때, 전자가 실리콘 기판으로 터널링 하지 않아 상온에서 안정적으로 작동하는 비휘발성 메모리 단위 소자를 제작할 수 있게 된다.