일반기술

저분자로 형성한 터널링 층과 고분자 박막 내에 형성된 나노 입자를 사용한 플로팅 게이트를 갖는 플래시 기억소자 및 그 제조 방법

본 기술은 소재 공정 분야 또는 기억 소자 제작 분야에 관한 것으로, 특히 나노 결정체를 이용한 플로팅 게이트를 갖는 플래쉬 기억소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 기술의 일 측면에 따르면, 드레인 영역 및 소스 영역을 가지는 반도체 기판, 드레인 영역 및 소스 영역의 중간 영역에 위치한 채널 영역 상에 형성되는 저분자 박막, 저분자 박막상에 형성되는 고분자 박막, 고분자 박막 내에 분산되어 형성된 나노 입자, 드레인 영역 상에 형성된 드레인 전극, 소스 영역 상에 형성된 소스 전극, 및 고분자 박막 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 저분자로 형성한 터널링 층과 고분자 박막 내에 형성된 나노 입자를 사용한 플로팅 게이트를 갖는 플래시 기억소자를 제시할 수 있다. 본 기술에 따른 저분자로 형성한 터널링 층과 고분자 박막 내에 형성된 나노 입자를 사용한 플로팅 게이트를 갖는 플래시 기억소자 및 그 제조방법은 절연성 저분자와 절연성 고분자를 사용할 경우 간단한 방법으로 저전압에서 구동이 가능하게 터널링 층을 유전 상수가 낮은 절연성 저분자를 통해 만들 수 있으며, 그 위에 절연성 고분자 안에 자발 형성된 나노 입자들을 형성하여 나노 플로팅 게이트로 사용하는 효과가 있다.다