일반기술
부스터 라인을 가지는 낸드형 플래시 메모리 소자 및 이의 프로그램 방법
본 기술은 메모리 소자에 관한 것으로, 비프로그램 메모리 셀의 프로그램 방해 특성 및/또는 비선택 메모리 셀의 패스 방해 특성을 개선하여 메모리 소자의 신뢰성을 향상시킨 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 기술의 일 실시예에 따르면 낸드형 플래시 메모리 소자는 반도체기판의 활성영역들 상부에 형성되는 복수개의 플로팅 게이트, 반도체기판 내의 활성영역들 사이에 형성되는 소자분리막, 소자분리막 내에 형성되는 부스터 라인, 및 플로팅 게이트 및 부스터 라인을 덮는 컨트롤 게이트를 포함하는 부스터 라인을 가진다. 부스터 라인을 가지는 프로그램 방법을 사용하여 낮은 공급 전압에서 파워 소모가 적고 칩 면적이 작으며 프로그램 방법이 간단하고 고효율인 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-03-14
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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