일반기술

에스오아이 웨이퍼의 제조 방법

본 기술은 에스오아이 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것으로, 기준 웨이퍼 상에 절연층을 형성하는 단계와, 결합 웨이퍼 상에 결합 웨이퍼보다 격자 상수가 큰 버퍼층을 형성하는 단계와, 트리트먼트 공정을 실시하여 버퍼층의 결함을 치유하는 단계와, 버퍼층 상에 스트레인드 실리콘을 형성하는 단계와, 결합 웨이퍼 내에 저전압 불순물 이온층을 형성하는 단계와, 기준 웨이퍼의 절연층과, 결합 웨이퍼의 스트레인드 실리콘을 결합하는 단계와, 열처리 공정을 통해 결합 웨이퍼의 불순물 이온층 부분을 벽개하는 단계 및 스트레인드 실리콘층 상의 SiGe버퍼층 및 잔류하는 결합 웨이퍼를 제거하는 단계를 포함하는 에스오아이 웨이퍼 제조 방법을 제공한다. 이와 같이 트리트먼트 공정을 통해 버퍼층의 디스로케이션을 해소하여 결함발생을 줄일 수 있고 이를 통해 웨이퍼의 들뜸 현상을 방지할 수 있으며, 우수한 표면 및 계면의 평활도와 박막 내의 결함 밀도가 낮은 스트레인드 실리콘을 포함하는 에스오아이 웨이퍼를 제조할 수 있다.