일반기술
질화갈륨 반도체 레이저 기판의 제조방법
본 기술은 청색파장을 내는 질화갈륨 반도체 레이저 기판의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 소정패턴의 산화물 마스크위에 ELOG(Epitaxially Lateral Over Growth)를 이용하여 질화갈륨층을 성장시켜 미세균열(microcrack)을 줄인 질화갈륨 반도체 레이저 기판의 제조방법에 관한 것이다.- 특징기판상에 질화갈륨 박막을 형성시킨 후 소정 패턴의 산화막 마스크 패턴을 형성하고, 이산화막 마스크 패턴을 이용하여 ELOG를 통한 MOCVD 방법으로 질화갈륨층을 형성하면 크랙이 현저히 감소된 질화갈륨층을 얻을 수 있고, 질화갈륨층 위에 다시 ELOG를 통한 HVPE 방법으로 질화갈륨층을 성장시키면 빠른 성장속도로 성장되면서도 거의 크랙 및 결정성 결함이 제거된 질화갈륨 기판을 얻는 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-22
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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