일반기술
금 나노 입자를 이용한 나노 부유 게이트형 비휘발성메모리 소자의 제조 방법
본 기술은 금 나노 입자를 이용한 나노 부유 게이트형 비휘발성 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 금 나노 입자를 사용하여 전기적 정보의 읽기, 쓰기, 저장이 가능한 나노 양자점을 형성하여 제조함으로써, 대용량, 고집적 특성을 가지는 동시에 저전력 및 고속동작이 가능한 금 나노 부유 게이트형 비휘발성 메모리 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 이러한 본 기술의 금 나노 부유 게이트형 비휘발성 메모리 소자의 제조방법은, 반도체 기판을 준비하는 단계와, 반도체 기판 위에 터널 절연막을 형성하는 단계와, 터널 절연막 위에 금 나노 입자층을 형성하여 금 나노 입자로 이루어진 나노 양자점을 형성시키는 단계와, 금 나노 입자층 위에 컨트롤 절연막을 형성하여 금 나노 부유 게이트를 형성하는 단계를 포함한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한양대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-22
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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